• Home Page
  • Sample Page
Technion
VLSI
Electrical Engineering | Technion
  • Overview
  • People
    • Academic staff
    • Lab staff
    • Supervisor
    • PHD Student
    • MSC Student
    • Assistant
  • Research
    • Advanced Processor Architectures
    • Energy Efficient Architectures
    • TMOS Imagers
    • Digital RF design
  • Projects
    • New Projects Proposals
    • Projects Proposals Taken
    • Manuals
    • Project Procedures
    • Projects Awards
    • Projects Archive
  • Experiments
    • All Experiments
    • Analog VLSI Design
    • Backend Design (Synthesis and Physical Design) of VLSI Circuits
    • UVM Verification of VLSI Digital Designs
    • Introduction to Basic Analog Circuits and Characterization of Fabricated Circuits
    • Hardware Accelerator for Machine Learning in SystemVerilog (98)
  • Publications
  • Events
    • All Events
    • Seminars
    • Conferences
  • Administration
    • Useful Links
  • רישום למעבדה
    • רישום לפרויקט
    • חשבון קורס 046265 – סמסטר חורף
    • חשבון קורס 046237 – סמסטר חורף
    • חשבון קורס 046187 – סמסטר חורף
    • חשבון קורס 046918 – סמסטר אביב
    • חשבון קורס 046230 – סמסטר אביב
    • חשבון קורס 046903 – סמסטר אביב
    • חשבון קורס 046237 – סמסטר אביב
    • חשבון קורס 046188 – סמסטר אביב
    • חשבון קורס 046006 – סמסטר אביב
  • התחברות למעבדה מרחוק
    • הסבר ראשוני
    • התחברות לרשת הטכניון
    • MobaXterm
    • VNC
    • VDI
    • עזרה

ElectroMagnetic/Heat/Mechanical and Device Simulations

  • Thermoelectrical Model of Phase-Change RF Switches

    In this project, a thermoelectrical model of the indirectly heated four-terminal PCM RF switch will be developed and verified against experimental data. This model will be useful to accurately predict the behavior of these devices and to simulate large circuits with small computational power.
    Categories: Analog | ElectroMagnetic/Heat/Mechanical and Device Simulations | Memristors | Memristors | RF
  • Contacts Electromagnetic Influences Modeling of CNT-FET

    Recent research in nanoelectronics has begun to explore the potential of carbon nanotube field effect transistors (CNFETs) as a successor to CMOS. Studies of individual carbon nanotubes have demonstrated that they have excellent electrical properties, including high electron mobility. Experiments with CNFETs have further demonstrated that these devices have large transconductances, which indicates a great potential for nanoelectronic circuits. One of the challenges the CNT-FET industry is facing these days...
    Categories: Analog | ElectroMagnetic/Heat/Mechanical and Device Simulations
  • בניית מודל מאיץ אלקטרונים לצרכים רפואיים ב- HFSS

    המימדים הגדולים והמחיר הגבוה של מיכשור מודרני לטיפול בסרטן ע"י הקרנה (רדיותרפיה), נגזרים בעיקר ממאיץ האלקטרונים. טכניקות ההאצה שבשימוש היום מכתיבות מאיץ באורך של מטר כדי ליצר קרינה בעלת אנרגיה גבוהה מספיק לטיפול. מחקר שמתבצע בימים אלה בפקולטה, עוסק בפיתוח מאיץ המסוגל להאיץ אלקטרונים לאנרגיות גבוהות באמצאות לייזר ומוליך גלים דיאלקטרי.
    Categories: Analog | ElectroMagnetic/Heat/Mechanical and Device Simulations

VLSI

Designing the future

VLSI Project Categories

  • 236381
  • 236503
  • Analog
    • ElectroMagnetic/Heat/Mechanical and Device Simulations
    • General
    • Memristors
    • RFIC and Mixed Signal
  • Computer Architecture
  • Computer Vision
  • Digital
    • Backend Design
    • Communication Chips
    • Encryption
    • General
    • Memories
    • Microprocessors
    • Multimedia and Signal Processors
  • Electromagnetic Simulations
  • Machine Learning
  • Memristors
  • RF
  • Software
  • Verification
  • VLSI Lab

    • Accessibility Statement
    VLSI - Electrical Engineering | Technion | Powered byFatfish